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电子元器件详细资料 » IC[27172] » SI8901EDB-T2-E1
型号:SI8901EDB-T2-E1类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:6-MICRO FOOT?CSP描述:MOSFET BIDIR P-CH 20V 2X3 6-MFP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET BIDIR P-CH 20V 2X3 6-MFP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C60 毫欧 @ 1A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 350µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs-
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1W
安装类型表面贴装
封装/外壳6-MICRO FOOT?CSP
供应商设备封装6-Micro Foot?
包装带卷 (TR)

供应商

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SI8901EDB-T2-E1相关型号

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